ส่งข้อความ
ขออ้าง |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

วงจรรวม ICS

(7037)

ชิป IC หน่วยความจำ

(2998)

ไอซีแยกอะนาล็อก

(2527)

ไมโครคอนโทรลเลอร์และโปรเซสเซอร์แบบฝังตัว

(5000)

ทรานซิสเตอร์สนามผล

(1837)

โมดูลพลังงาน IGBT

(1002)

ไดโอด ไตรโอด

(303)

ตัวเก็บประจุวัตถุประสงค์ทั่วไป

(41)

Connectors Interconnects

(83)

ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน SMD

(100)

ส่วนประกอบรีเลย์

(203)

ฟิวส์ป้องกันวงจร

(195)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต

AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต
AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต

ภาพใหญ่ :  AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต

รายละเอียดสินค้า:
ชื่อแบรนด์: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
หมายเลขรุ่น: AO4266E
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: สามารถต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: สามารถต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: จำนวนที่มีจำหน่าย 51208 ชิ้น
ติดต่อ

AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต

ลักษณะ
รุ่นสินค้า: AO4264E แพ็คเกจซัพพลายเออร์: SOP8
คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต ประเภทสินค้า: เครื่องเปรียบเทียบไอซี
พื้นที่ใช้งาน: ตัวควบคุมโปรเซสเซอร์แบบฝังตัว วันผลิต: ภายในหนึ่งปี
แสงสูง:

AO4264E

,

AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลสนาม

,

ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนามบนพื้นผิว

  • ผู้ผลิต: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

  • คําอธิบาย: MOSFET ทรานซิสเตอร์ช่อง N 60V13.5A

  • ประเภท: ผลิตภัณฑ์ครึ่งประสาทแยก

  • ครอบครัว: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - Single

  • กล่อง / กระเป๋า
    8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.)
    การส่ง
    UPS/EMS/DHL/FedEx Express
    สภาพ
    โรงงานใหม่เดิม
     

    รายละเอียด

    ซีรี่ย์
    AlphaSGTTM
    แพ็คเกจ
    เทป & รีล (TR)
    สถานะของส่วน
    กิจกรรม
    ประเภท FET
    ช่อง N
    เทคโนโลย
    MOSFET (โลหะออกไซด์)
    ความดันการออกสู่แหล่ง (Vdss)
    60 วอลต์
    กระแส - การระบายน้ําต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
    13.5A (Ta)
    ความดันการขับเคลื่อน (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.8mOhm @ 13.5A, 10V
    Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
    2.4V @ 250μA
    การชาร์จประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
    13 nC @ 4.5 V
    Vgs (สูงสุด)
    ± 20V
    ความจุเข้า (Ciss) (Max) @ Vds
    1100 pF @ 30 V
    ลักษณะ FET
    -
    การระบายพลังงาน (สูงสุด)
    3.1W (Ta)
    อุณหภูมิการทํางาน
    -55 °C ~ 150 °C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง
    การติดตั้งพื้นผิว
    แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย
    8-SO
     
     
AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต 0
กระบวนการสั่งซื้อ
เพิ่มส่วนในแบบ RFQ ส่ง RFQ เราตอบภายใน 24 ชั่วโมง
คุณยืนยันคําสั่ง การจ่ายเงิน ส่งของไป

 

 มากกว่านี้เครื่องควบคุมขนาดเล็ก รูปแบบชิป IC
ACS723LLCTR-10AB-T FDC1004DGSR SN74LV1T126DCKR
LMR54410DBVR TS952IDT BAT54S-7-F
SN74ACT244DWR MC9S08QG8CDTER TCA9548 ARGERQ1
OPA4348AIPWR LM339 AD5290YRMZ10-R7
AM1808EZWTD4 ADG1407BRUZ TPS76930DBVR
A3P060-TQG144 CD4093BM BQ24295RGER
SN74LV594APWR DS2482S-100 LMZ20502SILT
REF3025AIDBZT MC33887APVW LMV331IDCKR
REF3450IDBVR AT91SAM7X128C-AU TMUX136RSER
DP83TC811RWRNDTQ1 OPA2378AIDCN A4403GEUTR-T
NCP59800BMNADJTBG AQY212GS SN65LVDS4RSET
GS2972-IBE3 AP9985GM 74AHC1G08GW
PIC16F74-I/P AT24CM01-SSHD TPS61160DRVR
LMR33630AQRNXRQ1 LM25184NGUR IS61WV51216BLL-10TLI
IRFB38N20DPBF LM7332MA HEF4011BT
DN2470K4-G MIC29300-3.3WT MPC5566MZP132
PCA9506DGG ADG708BRUZ LM78L05AIMX/NOPB
MGA-62563-TR1G MAX3232EEAE MIMXRT1051CVJ5B
FDS6675BZ AD8031ARTZ 74HC541D
DRV8850RGYR OPA2330 ADG5412BRUZ
สัญลักษณ์ชิป
AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต 1AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต 2AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต 3AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต 4

รีวิว

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

  1. AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต 5
    ซามันธา สมิธ
    อะไหล่ อิเล็กทรอนิกส์ ที่ ผม สั่ง ได้ มา ใน เวลา และ ใน สภาพ ที่ ดี ที่สุด ผม ประทับใจ กับ คุณภาพ ของ สินค้า และ ระดับ การ บริการ ที่ ผู้ ขาย ให้.
    วันที่ 27 พฤษภาคม 2018
  1. AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต 6
    อดัม เทย์เลอร์
    ฉันแนะนําให้ผู้ขายนี้กับใครก็ตามที่ต้องการซื้ออะไหล่อิเล็กทรอนิกส์ ราคาที่สามารถแข่งขันได้ และการจัดส่งเร็วและมีประสิทธิภาพผลิตภัณฑ์ที่ผมได้รับเป็นอย่างที่อธิบายและผมพอใจกับการซื้อของผมมาก
    วันที่ 16 เมษายน 2019

 

  1. AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต 7
    เฮเลน่า การ์เซีย
    ผม พอใจ กับ อะไหล่ อิเล็กทรอนิกส์ ที่ ผม ได้ รับ จาก ผู้ ขาย คน นี้. อะไหล่ ถูก แพ็ค ใส่ ดี และ การ ส่ง ได้ อย่างรวดเร็ว.ผู้ ขาย ยัง ช่วย มาก ใน การ ตอบ คํา ถาม ของ ผม และ ให้ ความ ช่วยเหลือ กับ การ ซื้อ ของ ผมฉันคงจะซื้อจากพวกเขาอีกครั้งในอนาคต
    2 มกราคม 2020

AO4264E ทรานซิสเตอร์ที่มีผลต่อสนาม N ช่อง 60V 13.5A โมสเฟต 8

คําอธิบาย

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

การซื้อ

คุณสามารถทําการสั่งซื้อโดยไม่ต้องลงทะเบียนที่ integratedcircuitsics.com
เราขอแนะนําให้คุณสมัครสมาชิกก่อนซื้อ เพราะคุณสามารถติดตามการสั่งซื้อของคุณได้ในเวลาจริง

วิธีการชําระเงิน

เพื่อความสะดวกสบายของคุณ เรายอมรับวิธีการชําระเงินหลายแบบในดอลลาร์ รวมถึง PayPal, บัตรเครดิต และการโอนเงิน

RFQ (ขอราคา)

แนะนําให้ขออัตราราคา เพื่อรับราคาล่าสุดและคลังของชิ้นส่วน
บริษัทขายของพวกเราจะตอบคําถามของคุณด้วยอีเมลภายใน 24 ชั่วโมง

ข่าวสําคัญ

1คุณจะได้รับอีเมลข้อมูลการสั่งซื้อในกล่องเข้าของคุณ (กรุณาจําต้องตรวจสอบแฟ้มสแปมถ้าคุณไม่ได้ยินจากเรา)
2เนื่องจากคลังสินค้าและราคาอาจเปลี่ยนแปลงได้ในระดับหนึ่ง ผู้จัดการขายจะยืนยันการสั่งซื้ออีกครั้งและแจ้งให้คุณทราบถ้ามีการอัพเดทใด ๆ

แท็ก:

ทรานซิสเตอร์ภาคสนาม FET,

ทรานซิสเตอร์ Mosfet พลังงาน,

ชิป Mosfet 75Vทรานซิสเตอร์ผลสนามไฟฟ้า

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

รุ่นสินค้า: อสส32136ค

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: สท-23

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต N-CH 20V6.5A 3 ขา SOT-23

ประเภทสินค้า: FETs - เดี่ยว
IRFB4110PBF ทรานซิสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วนสำหรับการป้องกันวงจร

IRFB4110PBF ทรานซิสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วนสำหรับการป้องกันวงจร

รุ่นสินค้า: IRFB4110PBF

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: TO-220-3

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต

ประเภทสินค้า: ทรานซิสเตอร์สนามผล
N Channel Field Effect Transistor Mosfet อุปกรณ์กึ่งตัวนำแบบแยก IRFS3207ZTRRPBF

N Channel Field Effect Transistor Mosfet อุปกรณ์กึ่งตัวนำแบบแยก IRFS3207ZTRRPBF

รุ่นสินค้า: IRFS3207ZTRRPBF

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: TO-263-3

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต

ขั้วทรานซิสเตอร์: N-ช่อง
การป้องกันวงจรไฟฟ้าชิปทรานซิสเตอร์ Mos IPD060N03LGATMA1

การป้องกันวงจรไฟฟ้าชิปทรานซิสเตอร์ Mos IPD060N03LGATMA1

รุ่นสินค้า: IPD060N03LGATMA1

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: TO-252-3

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต N-CH 30V 50A

ประเภทสินค้า: FETs - เดี่ยว
การป้องกันวงจรชิปทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ SMD / SMT IRF8736TRPBF 30V 18A

การป้องกันวงจรชิปทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ SMD / SMT IRF8736TRPBF 30V 18A

รุ่นสินค้า: IRF8736TRPBF

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: SOIC-8

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต มอสเฟต 30V 18A 4.8mOhm 17nC

ประเภทสินค้า: FETs - เดี่ยว
เกี่ยวกับ

วงจรรวม ICS

Cypress Semiconductor วงจรรวม ICS USB วงจรเสาหิน 48TQFP CY7C65632-48AXC

การจัดการแบตเตอรี่วงจรรวม ICS TI BQ20Z65DBTR-R1 ชิปมาตรวัดน้ำมันเชื้อเพลิง

วงจรรวม SMD / SMT ไอซีควบคุมการจุดระเบิด ไดรเวอร์ IR IR2110STRPBF

STM32F405RGT6 ไมโครคอนโทรลเลอร์และโปรเซสเซอร์แบบฝังตัว MCU St 1024 FLASH

STM32F407VET6 ไอซีวงจรรวม

โปรเซสเซอร์และคอนโทรลเลอร์ในตัวของ MCU STM32F103RCT6

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | ประเทศจีน ดี คุณภาพ วงจรรวม ICS ผู้ผลิต. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.