ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > โมดูลพลังงาน IGBT > IXGQ90N33TCD1 IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยว

IXGQ90N33TCD1 IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยว

ประเภท:
โมดูลพลังงาน IGBT
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
ส่วนจำนวน:
IXGQ90N33TCD1
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบาย:
IGBT 330V 90A 200W TO3P
หมวดหมู่:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
ตระกูล:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
คําแนะนํา

ข้อมูลจำเพาะ IXGQ90N33TCD1

สถานะชิ้นส่วน ล้าสมัย
ประเภท IGBT ร่องลึก
แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด) 330V
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด) 90A
ปัจจุบัน - นักสะสมเป็นพัลซิ่ง (Icm) -
Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 45A
กำลัง - สูงสุด 200W
พลังงานสวิตชิ่ง -
ประเภทอินพุต มาตรฐาน
ค่าผ่านประตู 69nC
Td (เปิด/ปิด) @ 25°C -
เงื่อนไขการทดสอบ -
เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr) -
อุณหภูมิในการทำงาน -
ประเภทการติดตั้ง ผ่านรู
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง TO-3P-3, SC-65-3
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ TO-3P
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

IXGQ90N33TCD1 บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

IXGQ90N33TCD1 IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยวIXGQ90N33TCD1 IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยวIXGQ90N33TCD1 IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยวIXGQ90N33TCD1 IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยว

ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable