ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > โมดูลพลังงาน IGBT > GT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

GT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

ประเภท:
โมดูลพลังงาน IGBT
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
ส่วนจำนวน:
GT50J121(คิว)
ผู้ผลิต:
โตชิบาเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจ
คำอธิบาย:
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
หมวดหมู่:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
ตระกูล:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
คําแนะนํา

GT50J121(Q) Specifications

Part Status Obsolete
IGBT Type -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Current - Collector Pulsed (Icm) 100A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Power - Max 240W
Switching Energy 1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
Input Type Standard
Gate Charge -
Td (on/off) @ 25°C 90ns/300ns
Test Condition 300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-3PL
Supplier Device Package TO-3P(LH)
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

GT50J121(Q) Packaging

Detection

GT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleGT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleGT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleGT50J121(Q) IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable