ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > โมดูลพลังงาน IGBT > IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

ประเภท:
โมดูลพลังงาน IGBT
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
คำอธิบาย:
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
ส่วนจำนวน:
IRG8CH29K10D
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยี Infineon
หมวดหมู่:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
ตระกูล:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
ชุด:
*
คําแนะนํา

IRG8CH29K10D Specifications

Part Status Obsolete
IGBT Type -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) -
Current - Collector (Ic) (Max) -
Current - Collector Pulsed (Icm) -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic -
Power - Max -
Switching Energy -
Input Type -
Gate Charge -
Td (on/off) @ 25°C -
Test Condition -
Reverse Recovery Time (trr) -
Operating Temperature -
Mounting Type -
Package / Case -
Supplier Device Package -
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

IRG8CH29K10D Packaging

Detection

IRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG8CH29K10D IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable