ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > โมดูลพลังงาน IGBT > IRG7CH75K10EF-R IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

IRG7CH75K10EF-R IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

ประเภท:
โมดูลพลังงาน IGBT
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
คำอธิบาย:
IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
ส่วนจำนวน:
IRG7CH75K10EF-R
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยี Infineon
หมวดหมู่:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
ตระกูล:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
คําแนะนํา

IRG7CH75K10EF-R Specifications

Part Status Obsolete
IGBT Type -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) -
Current - Collector Pulsed (Icm) -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.53V @ 15V, 20A
Power - Max -
Switching Energy -
Input Type Standard
Gate Charge 500nC
Td (on/off) @ 25°C 120ns/445ns
Test Condition 600V, 100A, 5 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) -
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case Die
Supplier Device Package Die
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

IRG7CH75K10EF-R Packaging

Detection

IRG7CH75K10EF-R IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG7CH75K10EF-R IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG7CH75K10EF-R IGBT Power Module Transistors IGBTs SingleIRG7CH75K10EF-R IGBT Power Module Transistors IGBTs Single

ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable