IKW25N120H3FKSA1 IGBT ทรานซิสเตอร์โมดูลพลังงาน IGBT เดี่ยว
ประเภท:
โมดูลพลังงาน IGBT
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
ส่วนจำนวน:
IKW25N120H3FKSA1
ผู้ผลิต:
เทคโนโลยี Infineon
คำอธิบาย:
ไอจีบีที 1200V 50A 326W TO247-3
หมวดหมู่:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
ตระกูล:
ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว
ชุด:
TrenchStop®
คําแนะนํา
IKW25N120H3FKSA1 ข้อมูลจำเพาะ
| สถานะชิ้นส่วน | คล่องแคล่ว |
|---|---|
| ประเภท IGBT | สนามเพลาะหยุด |
| แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด) | 1200V |
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด) | 50A |
| ปัจจุบัน - นักสะสมเป็นพัลซิ่ง (Icm) | 100A |
| Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
| กำลัง - สูงสุด | 326W |
| พลังงานสวิตชิ่ง | 2.65mJ |
| ประเภทอินพุต | มาตรฐาน |
| ค่าผ่านประตู | 115nC |
| Td (เปิด/ปิด) @ 25°C | 27ns/277ns |
| เงื่อนไขการทดสอบ | 600V, 25A, 23 โอห์ม, 15V |
| เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr) | 290ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | ผ่านรู |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง | TO-247-3 |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | PG-TO247-3 |
| การจัดส่ง | UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส |
| สภาพ | ใหม่เดิมโรงงาน. |
IKW25N120H3FKSA1 บรรจุภัณฑ์
การตรวจจับ
ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable