ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์สนามผล > STW18NM60N ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs Single

STW18NM60N ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs Single

ประเภท:
ทรานซิสเตอร์สนามผล
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
ส่วนจำนวน:
STW18NM60N
ผู้ผลิต:
เอส.ที.ไมโครอิเล็กทรอนิกส์
คำอธิบาย:
มอสเฟต N-CH 600V 13A TO-247
หมวดหมู่:
ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว
ตระกูล:
ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว
ชุด:
MDmesh™ II
คําแนะนํา

ข้อมูลจำเพาะ STW18NM60N

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภท FET N-ช่อง
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ)
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) 600V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 13A (TC)
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds On) 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส 4V @ 250µA
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 35nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1000pF @ 50V
Vgs (สูงสุด) ±25V
คุณสมบัติ FET -
การกระจายพลังงาน (สูงสุด) 110W (ทีซี)
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 285 มิลลิโอห์ม @ 6.5A, 10V
อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง ผ่านรู
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ TO-247-3
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง TO-247-3
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

STW18NM60N บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

STW18NM60N ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs SingleSTW18NM60N ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs SingleSTW18NM60N ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs SingleSTW18NM60N ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs Single

ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable