ส่งข้อความ
บ้าน > ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์สนามผล > SIHS36N50D-E3 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs Single

SIHS36N50D-E3 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs Single

ประเภท:
ทรานซิสเตอร์สนามผล
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
ส่วนจำนวน:
SIHS36N50D-E3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบาย:
มอสเฟต N-CH 500V 36A SUPER-247
หมวดหมู่:
ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว
ตระกูล:
ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว
คําแนะนํา

ข้อมูลจำเพาะ SIHS36N50D-E3

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภท FET N-ช่อง
เทคโนโลยี MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ)
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) 500V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 36A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds On) -
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส 5V @ 250µA
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 125nC@10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 3233pF @ 100V
Vgs (สูงสุด) -
คุณสมบัติ FET -
การกระจายพลังงาน (สูงสุด) 446W (ทีซี)
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 130 มิลลิโอห์ม @ 18A, 10V
อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง ผ่านรู
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ ซุปเปอร์-247 (TO-274AA)
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง TO-247-3
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

SIHS36N50D-E3 บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

SIHS36N50D-E3 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs SingleSIHS36N50D-E3 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs SingleSIHS36N50D-E3 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs SingleSIHS36N50D-E3 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs Single

ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable