เซมิคอนดักเตอร์ พาวเวอร์ มอสเฟต ทรานซิสเตอร์ N ช่อง STB24N60DM2
ประเภท:
ทรานซิสเตอร์สนามผล
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
รุ่นสินค้า:
STB24N60DM2
แพ็คเกจซัพพลายเออร์:
TO-263-3
คำอธิบายสั้น ๆ:
มอสเฟต
ขั้วทรานซิสเตอร์:
N-ช่อง
พื้นที่ใช้งาน:
สลับการใช้งาน
วันผลิต:
ภายในหนึ่งปี
แสงสูง:
เซมิคอนดักเตอร์เพาเวอร์มอสเฟตทรานซิสเตอร์
,พาวเวอร์มอสเฟตทรานซิสเตอร์ N Channel
,STB24N60DM2
คําแนะนํา
ช่วงของผลิตภัณฑ์
- STB24N60DM2 เซมิคอนดักเตอร์ พาวเวอร์ ทรานซิสเตอร์มอสเฟต ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ดิสครีต N-แชนเนล
- N-channel 600 V, 0.13 Ω typ., 21 A MDmesh™ DM2 Power MOSFETs ในแพ็คเกจ D²PAK, TO-220 และ TO-247
ลักษณะเฉพาะของแอพ
- คุณสมบัติ
- โอดร่างกายฟื้นตัวเร็ว
- ค่าเกตและความจุอินพุตต่ำมาก
- ความต้านทานต่ำ
- ทดสอบหิมะถล่ม 100%
- ความทนทาน dv/dt ที่สูงมาก
- ป้องกันซีเนอร์
- คำอธิบาย
- Power MOSFET แบบ N-channel แรงดันสูงเหล่านี้เป็นส่วนหนึ่งของชุดไดโอดกู้คืนแบบเร็ว MDmesh™ DM2พวกมันมีค่าธรรมเนียมการกู้คืน (Qrr) และเวลา (trr) ที่ต่ำมาก รวมกับ RDS(เปิด) ต่ำ ทำให้เหมาะสำหรับตัวแปลงประสิทธิภาพสูงที่มีความต้องการมากที่สุด และเหมาะสำหรับสะพานโทโพโลยีและตัวแปลงเปลี่ยนเฟส ZVS
ข้อมูลพื้นฐาน
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
|---|---|
| เอส.ที.ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ | |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เป็นไปตามมาตรฐาน: | รายละเอียด |
| ศรี | |
| เอสเอ็มดี/SMT | |
| TO-263-3 | |
| N-ช่อง | |
| 1 ช่อง | |
| 600 โวลต์ | |
| 18 ก | |
| 200 มิลลิโอห์ม | |
| - 25 โวลต์, + 25 โวลต์ | |
| 4 โวลต์ | |
| 29 เอ็นซี | |
| - 55 องศาเซลเซียส | |
| + 150 องศาเซลเซียส | |
| 150 วัตต์ | |
| การเพิ่มประสิทธิภาพ | |
| FDmesh | |
| รอก | |
| ตัดเทป | |
| รอก | |
| ยี่ห้อ: | เอส.ที.ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ |
| การกำหนดค่า: | เดี่ยว |
| เวลาฤดูใบไม้ร่วง: | 15 น |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เวลาที่เพิ่มขึ้น: | 8.7 น |
| ชุด: | STB24N60DM2 |
| 1,000 | |
| หมวดหมู่ย่อย: | มอสเฟต |
| เวลาหน่วงการปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 60 น |
| เวลาหน่วงการเปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 15 น |
| หน่วยน้ำหนัก: | 0.139332 ออนซ์ |
ดาวน์โหลดเอกสารข้อมูล
แอปพลิเคชัน
- สลับการใช้งาน
- BLDC มอเตอร์
- มอเตอร์ซิงโครนัสแม่เหล็กถาวรสามเฟส
- อินเวอร์เตอร์
- ไดรเวอร์ฮาล์ฟบริดจ์
- ระบบควบคุมหุ่นยนต์
- เครื่องใช้ไฟฟ้า
- โครงสร้างพื้นฐานกริด
- EPOS • โฮมเธียเตอร์
- ระบบไฟฟ้าแบบกระจาย
- โครงสร้างพื้นฐานด้านการสื่อสาร/เครือข่าย
ขั้นตอนการสั่งซื้อ
| เพิ่มชิ้นส่วนในแบบฟอร์ม RFQ | ส่ง RFQ | เราตอบกลับภายใน 24 ชั่วโมง |
| คุณยืนยันการสั่งซื้อ | การชำระเงิน | จัดส่งคำสั่งซื้อของคุณ |
รุ่น MOSFET เพิ่มเติม
| STB30NF20 | STB18NF25 | STB32NM50N | STB15N80K5 | STB21N90K5 |
| STB24N60DM2 | STB15810 | STB75NF20 | STB6N60M2 | STB46NF30 |
| IRFB3207PBF | IRFB38N20DPBF | IRFB3306PBF | IRFB5615PBF | IRFB4310ZPBF |
| IRFB4110PBF | IRFB4127PBF | IRFB7730PBF | IRFB7440PBF | IRFB7537PBF |
| ไอซีวงจรรวม | ||||
| SSD2832G24 | SSD2830QL9 | SSD2829QL9 | SSD2861QN10 | SSD2858K1 |
| SSD2848K1 | SSD2828QN4 | SSD2805CG39R | SSD1963G41 | A4988SETTR-T |
| MIC28515T-E/PHA | MIC28514T-E/PHA | MIC28513-1YFL-TR | MIC28516T-E/PHA | MIC28510YJL-TR |
| TPS54160DGQR | TPS54160ADRCR | TPS54140ADRCR | TPS5410MDREP | TPS54336แอดดาร์ |
| LM2596SXADJ | LM2596SX-3.3 | LM2596SX-5.0 | LM2596SX-12 | DRV8312DDWR |
| ไมโครคอนโทรลเลอร์-MCU | ||||
| STM8S003F3P6 | STM8S003F3U6TR | STM8S003K3T6C | STM8S003F3P6TR | STM8S003K3T6CT |
| STM8S005C6T6C | STM8S005K6T6C | STM8S103K3T6C | STM8S105K6T6C | ไอซีรุ่นอื่นๆ |
| STM32F030R8T6 | STM32F030C6T6 | STM32F030F4P6 | STM32F030C8T6 | STM32F030K6T6 |
| STM32F030R8T6TR | STM32F030CCT6 | STM32F030RCT6 | STM32F030K6T6T | STM32F030CCT6TR |
| STM32F042C6T6 | STM32F042K6T6 | STM32F042K4U6 | STM32F042F6P7 | STM32F042F4P6TR |
| STM32F042K6U7 | STM32F042G4U6 | STM32F042F4P6 | STM32F042C6U7 | STM32F042K6T7 |
แผนภาพชิป
ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable