SIHG33N65EF-GE3 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs Single
ประเภท:
ทรานซิสเตอร์สนามผล
ราคา:
Negotiable
วิธีการชำระเงิน:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
รายละเอียด
ส่วนจำนวน:
SIHG33N65EF-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบาย:
มอสเฟต N-CH 650V 31.6A TO-247AC
หมวดหมู่:
ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว
ตระกูล:
ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว
คําแนะนํา
ข้อมูลจำเพาะ SIHG33N65EF-GE3
| สถานะชิ้นส่วน | คล่องแคล่ว |
|---|---|
| ประเภท FET | N-ช่อง |
| เทคโนโลยี | MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ) |
| ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) | 650V |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | 31.6A (ทีซี) |
| แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds On) | 10V |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส | 4V @ 250µA |
| ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 171nC @ 10V |
| ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 4026pF @ 100V |
| Vgs (สูงสุด) | ±30V |
| คุณสมบัติ FET | - |
| การกระจายพลังงาน (สูงสุด) | 313W (ทีซี) |
| ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 109 มิลลิโอห์ม @ 16.5A, 10V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | ผ่านรู |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | TO-247AC |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง | TO-247-3 |
| การจัดส่ง | UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส |
| สภาพ | ใหม่เดิมโรงงาน. |
SIHG33N65EF-GE3 บรรจุภัณฑ์
การตรวจจับ
ส่ง RFQ
คลังสินค้า:
MOQ:
Negotiable