ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์
IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ภาพใหญ่ :  IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: IRF9953TR ผู้ผลิต: เทคโนโลยี Infineon
คำอธิบาย: มอสเฟต 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ชุด: เฮ็กซ์เฟต®

ข้อมูลจำเพาะ IRF9953TR

สถานะชิ้นส่วน ล้าสมัย
ประเภท FET 2 P-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติ FET ประตูระดับลอจิก
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) 30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 2.3ก
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 250 มิลลิโอห์ม @ 1A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส 1V @ 250µA
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 12nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 190pF @ 15V
กำลัง - สูงสุด 2ว
อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง พื้นผิวติด
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ 8-ดังนั้น
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

IRF9953TR บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 0IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 1IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 2IRF9953TR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ