ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์
SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ภาพใหญ่ :  SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: SSM6L36FE,LM ผู้ผลิต: โตชิบาเซมิคอนดักเตอร์และสตอเรจ
คำอธิบาย: มอสเฟต N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์

ข้อมูลจำเพาะ SSM6L36FE,LM

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภท FET N และ P-Channel
คุณสมบัติ FET ประตูระดับลอจิก
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) 20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 500mA, 330mA
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 630 มิลลิโอห์ม @ 200mA, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส 1V @ 1mA
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 1.23nC @ 4V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 46pF @ 10V
กำลัง - สูงสุด 150mW
อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (ทีเจ)
ประเภทการติดตั้ง พื้นผิวติด
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ ES6 (1.6x1.6)
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

SSM6L36FE,บรรจุภัณฑ์ LM

การตรวจจับ

SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 0SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 1SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 2SSM6L36FE,LM ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ