ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์
QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ภาพใหญ่ :  QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: QH8MA4TCR ผู้ผลิต: สารกึ่งตัวนำ Rohm
คำอธิบาย: มอสเฟต N/P-CH 30V TSMT8 หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์

ข้อมูลจำเพาะ QH8MA4TCR

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภท FET N และ P-Channel
คุณสมบัติ FET มาตรฐาน
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) 30V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 9A, 8A
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 16 มิลลิโอห์ม @ 9A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส 2.5V @ 1mA
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 15.5nC@10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 640pF @ 15V
กำลัง - สูงสุด 1.5W
อุณหภูมิในการทำงาน 150°C (ทีเจ)
ประเภทการติดตั้ง พื้นผิวติด
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง 8-SMD, ตะกั่วแบน
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ TSMT8
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

QH8MA4TCR บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 0QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 1QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 2QH8MA4TCR ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ