ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์
FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ภาพใหญ่ :  FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: FDS3890 ผู้ผลิต: แฟร์ไชลด์/ON เซมิคอนดักเตอร์
คำอธิบาย: มอสเฟต 2N-CH 80V 4.7A 8-SO หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ ชุด: PowerTrench®

ข้อมูลจำเพาะ FDS3890

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภท FET 2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติ FET ประตูระดับลอจิก
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) 80V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 4.7ก
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 44 มิลลิโอห์ม @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส 4V @ 250µA
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 35nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 1180pF @ 40V
กำลัง - สูงสุด 900mW
อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง พื้นผิวติด
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง 8-SOIC (0.154", ความกว้าง 3.90 มม.)
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ 8-SOIC
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

FDS3890 บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 0FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 1FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 2FDS3890 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ