|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ส่วนจำนวน: | NGTB50N120FL2WG | ผู้ผลิต: | บนเซมิคอนดักเตอร์ |
|---|---|---|---|
| คำอธิบาย: | ไอจีบีที 1200V 100A 535W TO247 | หมวดหมู่: | ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว |
| ตระกูล: | ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - เดี่ยว |
| สถานะชิ้นส่วน | คล่องแคล่ว |
|---|---|
| ประเภท IGBT | สนามเพลาะหยุด |
| แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด) | 1200V |
| ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด) | 100A |
| ปัจจุบัน - นักสะสมเป็นพัลซิ่ง (Icm) | 200A |
| Vce(เปิด) (สูงสุด) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
| กำลัง - สูงสุด | 535W |
| พลังงานสวิตชิ่ง | 4.4mJ (เปิด), 1.4mJ (ปิด) |
| ประเภทอินพุต | มาตรฐาน |
| ค่าผ่านประตู | 311nC |
| Td (เปิด/ปิด) @ 25°C | 118ns/282ns |
| เงื่อนไขการทดสอบ | 600V, 50A, 10 โอห์ม, 15V |
| เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr) | 256ns |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | ผ่านรู |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง | TO-247-3 |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | TO-247 |
| การจัดส่ง | UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส |
| สภาพ | ใหม่เดิมโรงงาน. |
ผู้ติดต่อ: Darek
โทร: +8615017926135
