ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single
RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

ภาพใหญ่ :  RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: RQ3E130BNTB ผู้ผลิต: สารกึ่งตัวนำ Rohm
คำอธิบาย: มอสเฟต N-CH 30V 13A HSMT8 หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว

RQ3E130BNTB Specifications

Part Status Active
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 13A, 10V
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package 8-HSMT (3.2x3)
Package / Case 8-PowerVDFN
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

RQ3E130BNTB Packaging

Detection

RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single 0RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single 1RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single 2RQ3E130BNTB Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Single 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ