|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ส่วนจำนวน: | IRFHS8342TRPBF | ผู้ผลิต: | เทคโนโลยี Infineon |
|---|---|---|---|
| คำอธิบาย: | มอสเฟต N-CH 30V 8.8A PQFN | หมวดหมู่: | ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว |
| ตระกูล: | ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว | ชุด: | เฮ็กซ์เฟต® |
| สถานะชิ้นส่วน | คล่องแคล่ว |
|---|---|
| ประเภท FET | N-ช่อง |
| เทคโนโลยี | MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ) |
| ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) | 30V |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | 8.8A (แท), 19A (Tc) |
| แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส | 2.35V @ 25µA |
| ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 8.7nC @ 10V |
| ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 600pF @ 25V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V |
| คุณสมบัติ FET | - |
| การกระจายพลังงาน (สูงสุด) | 2.1W (ตา) |
| ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 16 มิลลิโอห์ม @ 8.5A, 10V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง | พื้นผิวติด |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | 8-PQFN |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง | 8-PowerVDFN |
| การจัดส่ง | UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส |
| สภาพ | ใหม่เดิมโรงงาน. |
ผู้ติดต่อ: Darek
โทร: +8615017926135
