ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF
BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ภาพใหญ่ :  BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: BLD6G21L-50,112 ผู้ผลิต: แอมเพิล ยูเอสเอ อิงค์
คำอธิบาย: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF

BLD6G21L-50,112 ข้อมูลจำเพาะ

สถานะชิ้นส่วน ล้าสมัย
ประเภททรานซิสเตอร์ LDMOS (ดูอัล) แหล่งที่มาทั่วไป
ความถี่ 2.02GHz
ได้รับ 14.5dB
แรงดัน - ทดสอบ 28V
คะแนนปัจจุบัน 10.2ก
รูปเสียงรบกวน -
ปัจจุบัน - ทดสอบ 170mA
เพาเวอร์-เอาท์พุต 8 ว
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด 65V
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง SOT-1130A
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ ซีดีเอฟเอ็ม4
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

BLD6G21L-50,112 บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 0BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 1BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 2BLD6G21L-50,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ