ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF
CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ภาพใหญ่ :  CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: CGHV1J006D ผู้ผลิต: เหยียบ/Wolfspeed
คำอธิบาย: RF MOSFET HEMT 40V ตาย หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF

ข้อมูลจำเพาะ CGHV1J006D

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภททรานซิสเตอร์ เฮ็ม
ความถี่ 18GHz
ได้รับ 17dB
แรงดัน - ทดสอบ 40V
คะแนนปัจจุบัน -
รูปเสียงรบกวน -
ปัจจุบัน - ทดสอบ 30mA
เพาเวอร์-เอาท์พุต 6ว
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด 100V
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ตาย
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ ตาย
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

CGHV1J006D บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 0CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 1CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 2CGHV1J006D ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ