ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF
BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ภาพใหญ่ :  BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: BLP7G22-10Z ผู้ผลิต: แอมเพิล ยูเอสเอ อิงค์
คำอธิบาย: RF FET LDMOS 65V 16DB 12VDFN หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF

ข้อมูลจำเพาะของ BLP7G22-10Z

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภททรานซิสเตอร์ LDMOS (ดูอัล) แหล่งที่มาทั่วไป
ความถี่ 2.14GHz
ได้รับ 16dB
แรงดัน - ทดสอบ 28V
คะแนนปัจจุบัน -
รูปเสียงรบกวน -
ปัจจุบัน - ทดสอบ 110mA
เพาเวอร์-เอาท์พุต 2ว
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด 65V
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง แพ้ดสัมผัส 12-VDFN
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ 12-HVSON (5x6)
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

BLP7G22-10Z บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 0BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 1BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 2BLP7G22-10Z ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ