ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF
MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ภาพใหญ่ :  MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: MW6S004NT1 ผู้ผลิต: เอ็นเอ็กซ์พี ยูเอสเอ อิงค์
คำอธิบาย: FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5 หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF

MW6S004NT1 ข้อมูลจำเพาะ

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภททรานซิสเตอร์ แอลดีมอส
ความถี่ 1.96GHz
ได้รับ 18dB
แรงดัน - ทดสอบ 28V
คะแนนปัจจุบัน -
รูปเสียงรบกวน -
ปัจจุบัน - ทดสอบ 50mA
เพาเวอร์-เอาท์พุต 4ว
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด 68V
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง พีแอลดี-1.5
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ พีแอลดี-1.5
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

MW6S004NT1 บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 0MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 1MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 2MW6S004NT1 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ