ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF
BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ภาพใหญ่ :  BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: BLF881S,112 ผู้ผลิต: แอมเพิล ยูเอสเอ อิงค์
คำอธิบาย: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT467B หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF

BLF881S,112 ข้อมูลจำเพาะ

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภททรานซิสเตอร์ แอลดีมอส
ความถี่ 860MHz
ได้รับ 21dB
แรงดัน - ทดสอบ 50V
คะแนนปัจจุบัน -
รูปเสียงรบกวน -
ปัจจุบัน - ทดสอบ 500mA
เพาเวอร์-เอาท์พุต 140W
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด 104V
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง SOT467B
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ LDMEST
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

BLF881S,112 บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 0BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 1BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 2BLF881S,112 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ