ส่งข้อความ
ขออ้าง |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

วงจรรวม ICS

(7037)

ชิป IC หน่วยความจำ

(2998)

ไอซีแยกอะนาล็อก

(2527)

ไมโครคอนโทรลเลอร์และโปรเซสเซอร์แบบฝังตัว

(5000)

ทรานซิสเตอร์สนามผล

(1833)

โมดูลพลังงาน IGBT

(1002)

ไดโอด ไตรโอด

(303)

ตัวเก็บประจุวัตถุประสงค์ทั่วไป

(41)

Connectors Interconnects

(83)

ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน SMD

(100)

ส่วนประกอบรีเลย์

(203)

ฟิวส์ป้องกันวงจร

(195)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF
BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ภาพใหญ่ :  BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000
ติดต่อ

BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: BLF888DU ผู้ผลิต: แอมเพิล ยูเอสเอ อิงค์
คำอธิบาย: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF

ข้อมูลจำเพาะของ BLF888DU

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภททรานซิสเตอร์ แอลดีมอส
ความถี่ 860MHz
ได้รับ 21dB
แรงดัน - ทดสอบ 50V
คะแนนปัจจุบัน -
รูปเสียงรบกวน -
ปัจจุบัน - ทดสอบ 1.3ก
เพาเวอร์-เอาท์พุต 250W
แรงดันไฟฟ้า - พิกัด 104V
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง SOT539A
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ SOT539A
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

BLF888DU บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 0BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 1BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 2BLF888DU Field Effect Transistor ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs ชิป RF 3

แท็ก:

ทรานซิสเตอร์ภาคสนาม FET,

ทรานซิสเตอร์ Mosfet พลังงาน,

ชิป Mosfet 75Vทรานซิสเตอร์ผลสนามไฟฟ้า

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

รุ่นสินค้า: อสส32136ค

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: สท-23

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต N-CH 20V6.5A 3 ขา SOT-23

ประเภทสินค้า: FETs - เดี่ยว
IRFB4110PBF ทรานซิสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วนสำหรับการป้องกันวงจร

IRFB4110PBF ทรานซิสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วนสำหรับการป้องกันวงจร

รุ่นสินค้า: IRFB4110PBF

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: TO-220-3

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต

ประเภทสินค้า: ทรานซิสเตอร์สนามผล
N Channel Field Effect Transistor Mosfet อุปกรณ์กึ่งตัวนำแบบแยก IRFS3207ZTRRPBF

N Channel Field Effect Transistor Mosfet อุปกรณ์กึ่งตัวนำแบบแยก IRFS3207ZTRRPBF

รุ่นสินค้า: IRFS3207ZTRRPBF

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: TO-263-3

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต

ขั้วทรานซิสเตอร์: N-ช่อง
การป้องกันวงจรไฟฟ้าชิปทรานซิสเตอร์ Mos IPD060N03LGATMA1

การป้องกันวงจรไฟฟ้าชิปทรานซิสเตอร์ Mos IPD060N03LGATMA1

รุ่นสินค้า: IPD060N03LGATMA1

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: TO-252-3

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต N-CH 30V 50A

ประเภทสินค้า: FETs - เดี่ยว
การป้องกันวงจรชิปทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ SMD / SMT IRF8736TRPBF 30V 18A

การป้องกันวงจรชิปทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ SMD / SMT IRF8736TRPBF 30V 18A

รุ่นสินค้า: IRF8736TRPBF

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: SOIC-8

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต มอสเฟต 30V 18A 4.8mOhm 17nC

ประเภทสินค้า: FETs - เดี่ยว
เกี่ยวกับ

วงจรรวม ICS

Cypress Semiconductor วงจรรวม ICS USB วงจรเสาหิน 48TQFP CY7C65632-48AXC

การจัดการแบตเตอรี่วงจรรวม ICS TI BQ20Z65DBTR-R1 ชิปมาตรวัดน้ำมันเชื้อเพลิง

วงจรรวม SMD / SMT ไอซีควบคุมการจุดระเบิด ไดรเวอร์ IR IR2110STRPBF

STM32F405RGT6 ไมโครคอนโทรลเลอร์และโปรเซสเซอร์แบบฝังตัว MCU St 1024 FLASH

STM32F407VET6 ไอซีวงจรรวม

โปรเซสเซอร์และคอนโทรลเลอร์ในตัวของ MCU STM32F103RCT6

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | ประเทศจีน ดี คุณภาพ วงจรรวม ICS ผู้ผลิต. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.